尽管两个发行商巨头动视和EA斗得不可开交，曾一度上升到互相人身攻击的程度，不过双方旗下的对头产品《现代3》和《战地3》的开发者都有惜英雄重英雄之意，对对方作品都进行了高度赞扬。

最近举办的GamesCon展会上，《现代战争3》的创意策划Robert Bowling与《战地3》的社区经理Daniel Matros坐到了一起，在EA的展台中玩了近一个小时的《战地3》，看着双方在一起用枪互射对方，这个场景可是相当少见的。

Robert Bowling：GamesCom结束了！我与DICE的朋友们玩了一个小时的〈战地3〉多人游戏，我很喜欢它！对了，〈蝙蝠侠：阿卡姆城〉也很棒

Daniel Matros：〈战地3〉是一款很棒的游戏！小罗（Robert）你要小心你的狗牌了！COD系列有你的参与算他们幸运

Robert Bowling：我向你保证，你永远拿不到我的fourzerotwo（Robert在战地3中的用户名）狗牌。这是个挑战，伙计。你要是敢来，就等着脸上吃枪子儿吧。

我们都知道当前的FPS游戏之争近乎白热化。但很高兴看到作为竞争对手的双方开发者能超脱商业竞争而走在一起。

最后Bowling说“有道理。等两家的游戏上市后，我们再来讨论孰优孰劣。”双方对话结束。

最近发行的《Muv-Luv：光之花》为其他地区的爱好者提供了史上最佳Galgame之一的《Muv-Luv》的平行世界故事，虽然还有很多《Muv-Luv》系列作品因语言问题仅局限在日本地区内。

然而，正如Muv-Luv系列本地化团队在最近的Kickstarter页面更新中所提到的那样，他们可能将更多âge社的游戏在欧美地区推广，并鼓励玩家期待未来的游戏发布。
“由于我们得到了来自支持者、粉丝和你们的大力支持，将更多âge社游戏推广到欧美地区的可能性变得越来越大。请期待我们在未来几个月以及未来几年的公告!”
目前，我们还不知道在âge社丰富的阵容中，哪些游戏会在未来本地化。从《你所期望的永远》（在国内被爱好者称为“君望”的古董级作品）到《黑之宣告》（《Muv-Luv》的前传故事，讲述东德欧洲战线的故事）和《Muv-Luv：Unlimited日后谈》（平行世界新作）。
Muv-Luv系列在Galgame圈评价很高，在批评空间长时间稳居排名前列，《Muv-Luv Alternative》在知乎也被爱好者誉为屹立于人类历史约两万部galgame顶点的作品之一。

这些年，随着半导体技术的日益复杂化，先进制造工艺的推进越来越充满挑战性，同时由于没有统一的行业标准，不同厂商的“数字游戏”让这个问题更加复杂化，也让大量普通用户产生了误解。
作为半导体行业的龙头老大，Intel曾经一直站在先进制造工艺的最前沿，领导行业技术创新，但是近两年，Intel似乎大大落伍了，14nm常年苦苦支撑，10nm一再推迟而且无法达到高性能，7nm最近又跳票了……
三星、台积电则非常活跃，8nm、7nm、6nm、5nm……一刻不停。尽管很多行业专家和Intel都一再强调，不同工厂的工艺没有直接可比性，“数字游戏”更是误导人，在很多人心目中Intel似乎真的落伍了。但这是真的吗？当然不是。

Intel今天就抛出了一枚重磅炸弹，10nm工艺节点上加入了全新的“SuperFin”晶体管，实现了历史上最大幅度的节点内性能提升，仅此一点就足以和完全的节点跨越相媲美。简单地说，SuperFin的加入，几乎等效于让10nm变成(真正的)7nm！
历史上，Intel一直在晶体管这一对半导体工艺的基石进行变革创新，比如90nm时代的应变硅(Strained
Silicon)、45nm时代的高K金属栅极(HKMG)、22nm时代的FinFET立体晶体管。

即便是饱受争议的14nm工艺，Intel也在一直不断改进，通过各种技术的加入，如今的加强版14nm在性能上相比第一代已经提升了超过20%，堪比完全的节点转换。

在这一代的10nm工艺节点上，Intel同样融入了诸多新技术，比如自对齐四重曝光(SAQP)、钴局部互连、有源栅极上接触(COAG)等等，但它们带来的挑战也让新工艺的规模量产和高良品率很难在短时间内达到理想水平。

尽管如此，Intel也没有追随改名打法，而是继续从底层技术改进工艺。
在最新的加强版10nm工艺上，Intel将增强型FinFET晶体、Super
MIM(金属-绝缘体-金属)电容器相结合，打造了全新的SuperFin，能够提供增强的外延源极/漏极、改进的栅极工艺，额外的栅极间距。

SuperFi在技术层面是相当复杂的，这里我们就长话短说，只讲讲它的主要技术特性，以及能带来的好处，也就是如何实现更高的性能，简单来说有五点：
1、增强源极和漏极上晶体结构的外延长度，从而增加应变并减小电阻，以允许更多电流通过通道。
2、改进栅极工艺，以实现更高的通道迁移率，从而使电荷载流子更快地移动。
3、提供额外的栅极间距选项，可为需要最高性能的芯片功能提供更高的驱动电流。
4、使用新型薄壁阻隔将过孔电阻降低了30%，从而提升了互连性能表现。
5、与行业标准相比，在同等的占位面积内电容增加了5倍，从而减少了电压下降，显著提高了产品性能。
该技术的实现得益于一类新型的高K电介质材料，它可以堆叠在厚度仅为几埃米(也就是零点几纳米)的超薄层中，从而形成重复的“超晶格”结构。这也是Intel独有的技术。

Intel声称，通过SuperFin晶体管技术等创新的加强，10nm工艺可以实现节点内超过15%的性能提升!

当然，一如之前的各代工艺，Intel
10nm也不会到此为止，后续还会有更多大招加入，继续提升性能——看起来还是10nm，但已经不再是简单的10nm。
10nm SuperFin晶体管技术将在代号Tiger
Lake的下一代移动酷睿处理器中首发，现已投产，OEM笔记本将在今年晚些时候的假日购物季上市。